买卖IC网 >> 产品目录43569 >> STP23NM60ND MOSFET N-CH 600V 19.5A TO-220 datasheet 分离式半导体产品
型号:

STP23NM60ND

库存数量:995
制造商:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 600V 19.5A TO-220
RoHS:无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
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其它有关文件 STP23NM60ND View All Specifications
产品目录绘图 ST Series TO-220
标准包装 50
系列 FDmesh™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 19.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 180 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 70nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 2050pF @ 50V
功率 - 最大 150W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
产品目录页面 1541 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 497-8445-5
相关资料
供应商
公司名
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深圳市柏新电子科技有限公司 0755-88377780 林小姐//方先生
  • STP23NM60ND 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 7.812 7.812
    10 7.0308 70.308
    25 6.40608 160.152
    100 5.78088 578.088
    250 5.31216 1328.04
    500 4.84344 2421.72
    1,000 4.21848 4218.48
    2,500 4.06224 10155.6
    5,000 3.906 19530